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电力半导体西门康(SEMIKRON)
 

SemikroSemikron-IGBT-SKiM

Type
VCES
V
IC@
Th=25°C
A
VCE(sat)
@25°C typ.
V
(Eon+Eoff)
@125°C typ.
mJ
Rth(j-c)

K/W
Case
Circuit
600 V Superfast
600
530
1,5
32
0,09
5

Circuit

1200 V Trench
SKiM300GD126D
1200
265
1,7
75
0,2
4

 Circuit

SKiM150GD126D
1200
140
1,7
30
0,36
-
SKiM400GD126DM
1200
330
1,7
75
0,13
4
SKiM450GD126D
1200
390
1,7
112
0,13
5

Circuit

SKiM601GD126DM
1200
480
1,7
112
0,09
5
1200 V SPT
SKiM150GD128D
1200
110
1,9
21
0,4
4

Circuit

SKiM200GD128D
1200
180
1,9
31,3
0,24
4
SKiM250GD128D
1200
240
2
41
0,2
4
SKiM350GD128DM
1200
300
2
41
0,14
4
SKiM270GD128D 1200 2501,9450.185 Circuit
SKiM400GD128D
1200
340
2
66
0,13
5
SKiM500GD128DM
1200
425
2
66
0,09
5
1700 V Trench
SKiM120GD176D
1700
115
2
125
0,4
4

Circuit

SKiM220GD176D
1700
220
2
250
0,21
4
SKiM270GD176D
1700
270
2
300
0,18
5

Circuit


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