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为使应用三社功率半导体器件时,获得最高可靠性和性能,请注意下列事项 1 短路电流保护 2 阻容吸收电路作过压保护 3 正确的安装与散热 4 门极触发特性(晶闸管,双向晶闸管) 5.使用频率 需了解每一产品的详细情况,请参阅相关技术手册 |
| SYMBOLS & TERMINOLOGY 符号及专用术语 | Symbol符号 | Device器件类型
| Term 参数 | | VRRM | D,S | 反向重复 | | IDC | D | 整流输出平均电流(DC) | | IFSM | D | 正向浪涌电流 | | VFM | D | 正向压降 | | IRRM | D,S | 反向峰值电流 | | IF | D | 正向电流 | | I2t | D,S,T | 电流平方时间积 | | IT | S,T | 通态电流 | | ITSM | S,T | 通态浪涌电流 | | dv/dt | S,T | 断态临界电压上升率 | | di/dt | S,T | 通态临界电流上升率 | | IGT | S,T | 最大门极触发电流 | | VGT | S,T | 最大门极出发电压 | | IH | S,T | 维持电流 | | VTM | S,T | 最大通态电压 | | IDRM | S,T | 断态重复峰值电流 | | VDRM | S,T | 通态重复峰值电压 | | Tj | D,S,T | 结温 | | Rthj-c | D,S,T | 热阻 | | VISO | D,S,T | 绝缘耐压 | | trr | D | 恢复时间 |

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